个人简介

甘子旸、副教授、硕导、德国Jena (耶拿)大学博士。已累计发表SCI论文30余篇，包括 Nature Photonics, Advanced Materials, Advanced Functional Materials等。

联系方式: 250148515@qq.com

办公室：两山一湖中4栋

研究领域：

先进光电半导体材料与器件。具体包括：

1.新型光电异质集成材料与纳米器件

2.新型半导体晶圆级制备与工艺集成

3.人工微纳超构表面

招生要求：

(1)课题组依托湖南光电集成创新研究院，具有一套完整的光刻、刻蚀芯片加工工艺线和材料结构、光学表征平台，欢迎具有材料、光学、物理、电子、化学等学科背景的学生加入；

(2)对新型显示技术、激光传感、纳米技术、生物电子等领域感兴趣

教育背景

博士：德国Jena(耶拿)大学、阿贝光子学中心、物理化学研究所

本硕：中南大学、粉末冶金研究院

承担课题

1. 湖南师范大学人才引进启动项目，项目负责人。

获奖情况

1. 国家优秀自费留学生奖学金（2023）

2. 中国留学人员创新创业大赛“春晖杯”优胜奖（2023）

代表性论文

[1]Gan, Z., Paradisanos, I., Estrada-Real, A., Picker, J., Najafidehaghani, E., Davies, F., Neumann, C., Robert, C., Wiecha, P., Watanabe, K, Taniguchi, T., Marie, X., Biskupek, J., Mundszinger, M., Leiter, R., Kaiser, U., Krasheninnikov, A. K., Urbaszek, B., George, A. ,Turchanin, A. Chemical Vapor Deposition of High Optical Quality Large-Area Monolayer Janus Transition Metal Dichalcogenides.Adv. Mater.2022,34(38), 2205226.

[2]Gan, Z., Najafidehaghani, E., Han, S. H.,Shradha, S., Abtahi, F., Picker, J., Neumann, C., Eilenberger, F., George, A., Turchanin, A. Patterned Growth of Transition Metal Dichalcogenides Monolayers for Electronic and Optoelectronic Device Applications.Small Methods2022,6(9), 2200300

[3] Najafidehaghani, E.,Gan, Z., George, A., Lehnert, T., Ngo, G. Q., Neumann, C., Bucher, T., Staude, I., Kaiser, D., Vogl, T., Hübner, U., Kaiser, U. Eilenberger, F., Turchanin, A. One-dimensionalp-nJunction Electronic and Optoelectronic Devices from Transition Metal Dichalcogenide Lateral Heterostructures Grown by One-Pot Chemical Vapor Deposition Synthesis.Adv. Funct. Mater.2021,31(27), 2101086

[4] Ngo, G. Q., Najafidehaghani, E.,Gan, Z., Khazaee, S., George, A., Schartner, E. P., Ebendorff-Heidepriem, H., Pertsch, T., Tuniz, A., Schmidt, M. A., Peschel, U., Turchanin, A., Eilenberger, F. In-Fiber Second-Harmonic Generation with Embedded Two-dimensional Materials.Nat. Photonics2022,16(11), 769-776.

[5] Klimmer, S., Ghaebi, O.,Gan, Z., George, A., Turchanin, A., Cerullo, G., Soavi, G. All-Optical Polarization and Amplitude Modulation of Second Harmonic Generation in Atomically Thin Semiconductors.Nat. Photonics2021,15(11), 837-842