报告题目：低维半导体中的激子发光与性能调控

报  告 人：庄秀娟 教授，湖南大学

研究方向：低维半导体的可控制备、光电性能调控和器件构建

报告时间：2023年6月2日（星期五） 上午10:00

报告地点：量子楼410

报告摘要：

相比体相材料，低维半导体中的电子和空穴一般具有更强的库仑相互作用，从而更容易产生激子效应。激子的复合发光成为直接带隙半导体一种重要的发光机制。例如，二维层状材料中的过渡金属硫族化合物体系，它们不仅存在显著的层内激子，在范德华异质结里还存在较强的层间激子效应。同时，钙钛矿体系里也存在一种具有大的斯托克斯位移的、宽带发光的激子效应，自陷激子。这些新奇的激子效应不仅丰富了半导体激子光谱的知识体系，其高效的复合发光还将有效拓宽低维半导体在光发射器件中的应用。

报告人简介：

庄秀娟，湖南大学半导体学院（集成电路学院）教授，博士生导师。2008年6月获得中国科学技术大学物理化学专业博士学位，随后赴美国亚利桑那州立大学从事博士后研究。2010年底回国入职湖南大学物理与微电子科学学院，2023年转入湖南大学半导体学院（集成电路学院）任教，从事低维半导体的可控制备、光电性能调控和器件构建等研究。近五年，以通讯作者在Adv.Funct Mater、Nano Lett.、ACS Energy Lett等期刊上发表论文二十余篇。主持国家自然科学基金项目3项，湖南省科技计划重点项目1项。2013年入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”，湖南省自然科学基金杰出青年基金获得者，2018年获得湖南省自然科学一等奖（第四完成人），2019获得国家自然科学二等奖（第五完成人）。湖南大学首届青年教师教书育人模范、教学能手。